София /КРОСС/ Intel Corporation и Micron Technology Inc. днес представиха нов, по-фин 20 nm технологичен процес за производство на NAND флаш памет. По новия 20nm процес се произвежда multi-level cell (MLC) NAND флаш устройство с капацитет от 8 GB, което осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на музика, видео, книги и друга информация върху смартфони, таблети и компютърни решения като твърдотелни дискове (SSDs), съобщиха от Intel.
Източник: Информационна агенция КРОСС
Новини
Intel и Micron представиха нов 20 nm технологичен процес за флаш памет
От първоизточника
Прочети в оригинал ↗