Учените от Националния изследователски ядрен университет "Московски инженерно-физически институт” в сътрудничество със специалистите от Института по физика на металите при Сибирския отдел на Руската академия на науките разработиха и изучиха нанохетероструктури на основата на галиев арсенид, способни да повишат бързината на действието на високочестотните микросхеми.